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        溫控可控硅的檢測方法

        溫控可控硅的檢測方法

        1. 判別各電極

        溫控硅整流器的內部結構與普通可控硅整流器相似。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。

          2. 性能檢測

        溫度測量質量可以是粗硅整流用萬用表,具體方法可以參考常規晶閘管試驗方法。

        電路中,R是一個企業分流電阻器,用于進行設置問題所述控制晶閘管VT的切換不同溫度,溫度可以設定壓力開關的值的電阻影響越小,就越高。 C是干擾的電容,以防止誤觸發晶閘管VT。 HL指標體系作為6.3 V(小燈泡),S是電源系統開關。

        上用于溫度控制電路SCR檢測方法

        圖可控硅的溫度進行檢測系統電路圖

        打開一個電源控制開關S,SCRVT不亮,指示燈HL不亮。 電吹風“熱風”對SCRVT進行加熱,當其溫度能達到自己設定的不同溫度值時,指示燈亮,說明通過SCRVT作為觸發導通。 如果將SCRVT的溫度冷卻(或自然環境冷卻)到一定的工作溫度,指示燈即可熄滅,則SCR輸出性能良好。 如果在打開系統電源選擇開關后,指示燈亮著或加熱SCR后,指示燈不亮,或冷卻SCR后,指示燈不熄滅,則被測S CR的交流擊穿造成損壞或性能不良。

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